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RDN8804可替代东沅FKCA2030/尼克森PE5A0DZ

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文章出处:骊微电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2021-06-10 09:56
  RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR双N沟道增强型功率MOSFET采用最新的沟道处理技术,以实现高单元密度和低栅电荷降低导通电阻。这些特点结合起来,使这种设计成为一个非常有效和可靠的设备,用于大电流负载应用。
  
  RDN8804 特点  
  ●20V/25A, RDS(ON) =3.8mΩ@VGS=4.5V(典型)  
  ●高密度电池设计,超低Rdson  
  ●全特性雪崩电压和电流
  
  管脚描述
  
  应用领域  
  ● 大电流应用中的负载开关  
  ● 逆变器系统的电源管理  
  ● 电池保护
  
  RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR双N沟道增强型功率MOSFET可以直接替代东沅FKCA2030/尼克森PE5A0DZ,更多RDN8804 mos产品手册或者详细资料请向骊微电子申请。>>
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